SIRA20BDP-T1-GE3

A kép tájékoztató jellegű, kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot a valós képért

Gyártói alkatrész	SIRA20BDP-T1-GE3
Gyártó	Vishay / Siliconix
Leírás	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Kategória	diszkrét félvezető termékek
Család	tranzisztorok - fetek, mosfetek - egyszeresek
Életciklus:	New from this manufacturer.
Szállítás:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Fizetés	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Adatlap	SIRA20BDP-T1-GE3 PDF

Elérhetőség

Raktáron	186 717
Egységár	$ 1.72000

SIRA20BDP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIRA20BDP-T1-GE3 Műszaki adatok

típus	Leírás
sorozat:	TrenchFET® Gen IV
csomag:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
alkatrész állapota:	Active
fet típusú:	N-Channel
technológia:	MOSFET (Metal Oxide)
leeresztés a forrásfeszültségre (vdss):	25 V
áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°c:	82A (Ta), 335A (Tc)
meghajtó feszültség (max rds be, min rds be):	-
rds on (max) @ id, vgs:	0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
kaputöltés (qg) (max) @ vgs:	186 nC @ 10 V
vgs (max.):	+16V, -12V
bemeneti kapacitás (ciss) (max) @ vds:	9950 pF @ 15 V
fet funkció:	-
teljesítmény disszipáció (max.):	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Üzemi hőmérséklet:	-55°C ~ 150°C (TJ)
szerelési típus:	Surface Mount
szállítói eszközcsomag:	PowerPAK® SO-8
csomag / tok:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.